Khi công nghệ in 3D đáp ứng PV

Jul 24, 2018

Để lại lời nhắn

Năng lượng là cơ sở vật chất quan trọng cho sự tồn tại và phát triển của xã hội loài người. Với sự phát triển của xã hội, các nguồn tài nguyên không tái tạo như than và dầu đang giảm, và phát triển năng lượng sạch là sắp xảy ra. Năng lượng mặt trời đã nhận được nhiều sự chú ý như là nguồn năng lượng phong phú nhất trên hành tinh. Hiện nay, tế bào năng lượng mặt trời là một cách quan trọng cho người sử dụng năng lượng mặt trời, mà có thể chuyển đổi năng lượng không giới hạn và làm sạch năng lượng mặt trời thành điện năng.

Các ngành công nghiệp quang điện đã cho thấy một tỷ lệ tăng trưởng hơn 40% trong 10 năm qua và đã trở thành một trong những ngành công nghiệp mới nổi phát triển nhanh nhất trên thế giới. Theo thống kê chưa đầy đủ, hiện có hơn 1.000 đơn vị tham gia nghiên cứu, phát triển, sản xuất và ứng dụng năng lượng mặt trời công nghệ mới nổi tại Trung Quốc. Kể từ năm 2008, Trung Quốc đã trở thành nhà sản xuất lớn nhất thế giới của các tế bào năng lượng mặt trời, và sản xuất của các tế bào năng lượng mặt trời đứng đầu thế giới trong năm năm liên tiếp. Trên thị trường hiện tại của PV, các sản phẩm chủ đạo là các tế bào năng lượng mặt trời silic tinh thể, với thị phần hơn 85%, và hiệu quả thương mại cao nhất đã đạt hơn 22%. Chúng tôi hy vọng rằng các tế bào năng lượng mặt trời silic tinh thể sẽ vẫn chiếm ưu thế trong 10 năm tiếp theo.

Với sự phát triển của ngành công nghiệp quang điện, công nghệ tế bào năng lượng mặt trời silic tinh thể đang phát triển nhanh chóng. Công nghệ tế bào năng lượng mặt trời silic tinh thể là chủ yếu tập trung ở hai chính hướng dẫn: đầu tiên, dựa trên cấu trúc pin hiện có và các quá trình, giới thiệu mới sản xuất quá trình trong một hoặc nhiều tiến trình (chẳng hạn như tối ưu hóa bề mặt thụ công nghệ, chọn lọc emitter) công nghệ, tối ưu hóa bề mặt thêm hoạ tiết cho công nghệ, điểm liên lạc công nghệ và công nghệ in 3D cực để cải thiện pin hiệu quả chuyển đổi; Thứ hai, thay đổi cấu trúc hiện tại của pin, quá trình hoặc các vật liệu (chẳng hạn như HIT pin hoặc giá-key bão hòa năng lượng mặt trời cell) V.v..) để cải thiện pin chuyển đổi hiệu quả.

Trong số đó, 3D in Ấn công nghệ điện cực, do tỷ lệ cao sử dụng các vật liệu kim loại, quá trình đơn giản, thích hợp cho sử dụng trong bộ phim mỏng pin, có thể tiết kiệm pin chi phí sản xuất đến một mức độ lớn hơn, và do đó đã thu hút sự chú ý nhiều hơn và nhiều hơn nữa trong Các ngành công nghiệp.

Ngoài ra, công nghệ in 3D có thể được áp dụng cho màng mỏng pin ngoài các tế bào năng lượng mặt trời silic tinh thể. Ví dụ, các nhà nghiên cứu tại Đại học bang Oregon đã thành công sản xuất indi đồng Gali selenua (CIGS) màng mỏng tế bào năng lượng mặt trời bằng cách sử dụng công nghệ in 3D, tiết kiệm 90% nguyên vật liệu. Viện công nghệ Massachusetts (MIT) in thin-film tế bào năng lượng mặt trời vào giấy thông qua máy in 3D đặc biệt hiện nay cung cấp 1,5% đến 2% pin hiệu quả.

Công nghệ in 3D không chỉ có thể in các đường lưới với độ phân giải cao và độ dẫn điện tốt, nhưng cũng có thể làm giảm chi phí sản xuất. Nó có thể được kết hợp với sức đề kháng cao emitters và áp dụng vào công nghệ pin mặt trời mới khác nhau. Ở nhà và ở nước ngoài, chúng tôi đang tích cực nghiên cứu và áp dụng sự phát triển của công nghệ này. Do đó, việc áp dụng công nghệ in 3D cho quá trình sản xuất của các tế bào năng lượng mặt trời sẽ là xu hướng của thời đại. Công nghệ này cũng sẽ mang lại một sự gia tăng đáng kể trong chất lượng và hiệu quả của các tế bào năng lượng mặt trời.

Quang điện không còn là một phân đoạn thị trường, nhưng sẽ là một phần ngày càng tăng của thị trường năng lượng, hoặc hơn nữa, năng lượng mặt trời sẽ là chúng tôi nguồn năng lượng chính 2050. Tuy nhiên, hiện nay công nghệ đã đạt đến giới hạn hiệu quả của họ. Vì vậy, chìa khóa để mở khóa tiềm năng của thế hệ năng lượng mặt trời và làm cho nó nguồn năng lượng chính có sẵn cho con người nằm trong sự tiến bộ của công nghệ quang điện. Chúng tôi hy vọng rằng công nghệ in 3D sẽ giảm chi phí năng lượng mặt trời hệ với chi phí của máy phát điện thông thường.